SST27SF010單片機(jī)解密技術(shù)及特性分析
來(lái)源:IC解密
實(shí)例的片內(nèi)特性技術(shù)分析,供廣大客戶及各類(lèi)技術(shù)工程師在芯片解密項(xiàng)目合作中進(jìn)行技術(shù)參考和借鑒。
SST27SF010概述
SST27SF010是一個(gè)128K X8的MTP低成本閃存,由SST公司的專利,高性能的CMOS SuperFlash技術(shù)制造。分裂柵單元設(shè)計(jì)和厚氧化層隧穿注入器與其它方法相比達(dá)到更好的可靠性和可制造性。這些MTP設(shè)備可電擦除和編程至少1000次,使用一個(gè)12伏電源供電的外部編程器。它們?cè)诰幊讨氨仨毐徊脸_@些器件符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)引腳為字節(jié)寬的存儲(chǔ)器。
SST27SF010特性
·組織結(jié)構(gòu)為128K X8
·4.5-5.5V讀操作
·卓越的可靠性
- 耐力:至少1000次
- 大于100年數(shù)據(jù)保存期
·低功耗
- 工作電流:20 mA(典型值)
- 待機(jī)電流:10μA(典型值)
·快速讀取訪問(wèn)時(shí)間
- 70納秒
- 90納秒
·快速字節(jié)編程操作
- 字節(jié)編程時(shí)間:20μs(典型值)
- 芯片編程時(shí)間:2.8秒(典型值)
·電擦除編程
- 不需要紫外光源
- 芯片擦除時(shí)間:100毫秒(典型值)
·TTL I / O兼容性
·JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的字節(jié)寬度的EPROM引腳
·封裝可供選擇
- 32引腳PLCC
- 32引腳TSOP(8mm x 14mm)
- 32引腳PDIP
在芯片解密技術(shù)研究中,我司長(zhǎng)期專注高難度IC解密研究、DSP芯片解密研究、CPLD芯片解密研究、FPGA芯片解密研究等領(lǐng)域。目前,我們?cè)赟ST系列單片機(jī)解密、STC系列單片機(jī)解密、ST系列芯片解密、NEC系列單片機(jī)解密等四十余個(gè)系列芯片解密研究中已經(jīng)取得典型項(xiàng)目成果。專業(yè)化解密設(shè)備和檢測(cè)儀器,可面向國(guó)內(nèi)外廣大客戶提供高效、優(yōu)質(zhì)、可靠的SST27系列SST27SF010單片機(jī)解密服務(wù).
SST27SF010概述
SST27SF010是一個(gè)128K X8的MTP低成本閃存,由SST公司的專利,高性能的CMOS SuperFlash技術(shù)制造。分裂柵單元設(shè)計(jì)和厚氧化層隧穿注入器與其它方法相比達(dá)到更好的可靠性和可制造性。這些MTP設(shè)備可電擦除和編程至少1000次,使用一個(gè)12伏電源供電的外部編程器。它們?cè)诰幊讨氨仨毐徊脸_@些器件符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)引腳為字節(jié)寬的存儲(chǔ)器。
SST27SF010特性
·組織結(jié)構(gòu)為128K X8
·4.5-5.5V讀操作
·卓越的可靠性
- 耐力:至少1000次
- 大于100年數(shù)據(jù)保存期
·低功耗
- 工作電流:20 mA(典型值)
- 待機(jī)電流:10μA(典型值)
·快速讀取訪問(wèn)時(shí)間
- 70納秒
- 90納秒
·快速字節(jié)編程操作
- 字節(jié)編程時(shí)間:20μs(典型值)
- 芯片編程時(shí)間:2.8秒(典型值)
·電擦除編程
- 不需要紫外光源
- 芯片擦除時(shí)間:100毫秒(典型值)
·TTL I / O兼容性
·JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的字節(jié)寬度的EPROM引腳
·封裝可供選擇
- 32引腳PLCC
- 32引腳TSOP(8mm x 14mm)
- 32引腳PDIP
在芯片解密技術(shù)研究中,我司長(zhǎng)期專注高難度IC解密研究、DSP芯片解密研究、CPLD芯片解密研究、FPGA芯片解密研究等領(lǐng)域。目前,我們?cè)赟ST系列單片機(jī)解密、STC系列單片機(jī)解密、ST系列芯片解密、NEC系列單片機(jī)解密等四十余個(gè)系列芯片解密研究中已經(jīng)取得典型項(xiàng)目成果。專業(yè)化解密設(shè)備和檢測(cè)儀器,可面向國(guó)內(nèi)外廣大客戶提供高效、優(yōu)質(zhì)、可靠的SST27系列SST27SF010單片機(jī)解密服務(wù).