LATTICE SEMICONDUCTOR  LCMXO2-1200ZE-1TG144I  可編程邏輯芯片, PLD, 1280 MACHXO2, 144TQFP
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芯片特征：
靈活的邏輯架構(gòu)
六臺(tái)設(shè)備，256至6864 LUT4和19至335 I/O
超低功率器件
先進(jìn)的65納米低功耗工藝
低至19兆瓦備用功率
可編程低擺差分I/O
待機(jī)模式和其他節(jié)能選項(xiàng)
嵌入式和分布式內(nèi)存
高達(dá)240 kbits symem嵌入式塊RAM
高達(dá)54 kbit的分布式RAM
專用FIFO控制邏輯片上用戶閃存
高達(dá)256 kbit的用戶閃存
100000個(gè)寫入周期
可通過(guò)叉形桿、SPI、I2c和JTAG接口訪問(wèn)
可作為軟處理器PROM或閃存使用
預(yù)先設(shè)計(jì)的源同步I/O
I/O單元中的GDR寄存器
專用傳動(dòng)邏輯
7:1顯示I/O齒輪裝置
通用DDR、DDRx2、DDRx4
支持dqs的專用ddr/ddr2/lpddr內(nèi)存
高性能、靈活的I/O緩沖區(qū)
可編程的Sysio緩沖區(qū)支持多種接口：
LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2
左室TTL
PCI
LVDS、總線-LVDS、MLVDS、RSDS、LVPECL
SSTL 25/18號(hào)
高鐵18號(hào)
施密特觸發(fā)輸入，高達(dá)0.5伏滯后。
I/O支持熱插拔
片上差分終端
可編程上拉或下拉模式