芯片簡介

AT45DB041E 是一款最低電壓為 1.65 V 的串行接口順序訪問閃存，非常適合各種數(shù)字語音、圖像、程序代碼和數(shù)據(jù)存儲應用。
它非常適合各種數(shù)字語音、圖像、程序代碼和數(shù)據(jù)存儲應用。AT45DB041E 還支持
RapidS 串行接口，適用于需要極高速運行的應用。它的 4,194,304 位內(nèi)存被組織成 2,048 頁內(nèi)存頁。
每頁 256 字節(jié)或 264 字節(jié)。除主存儲器外，AT45DB041E 還包含兩個 256 字節(jié)的 SRAM 緩沖器。
還包含兩個 SRAM 緩沖器，每個 256/264 字節(jié)。緩沖器允許在對主存儲器的頁面進行重新編程時接收數(shù)據(jù)。
在對主存儲器的頁面進行重新編程時接收數(shù)據(jù)。兩個緩沖器之間的交錯可顯著提高系統(tǒng)寫入連續(xù)數(shù)據(jù)流的能力。
寫入連續(xù)數(shù)據(jù)流的能力。此外，SRAM 緩沖器還可用作額外的系統(tǒng)刮擦墊存儲器、
此外，SRAM 緩沖器還可用作額外的系統(tǒng)刮擦墊存儲器，并可通過自帶的讀取-修改-寫入三步操作輕松處理 E2PROM 仿真（位或字節(jié)可更改性）。與使用多條地址線和并行接口隨機存取的傳統(tǒng)閃存不同，DataFlash
不同，DataFlash® 使用串行接口順序訪問數(shù)據(jù)。簡單的順序訪問極大地減少了有源引腳數(shù)，簡化了硬件布局，提高了系統(tǒng)可靠性，最大限度地降低了開關噪聲，并縮小了封裝尺寸。
開關噪聲，并減小封裝尺寸。該器件經(jīng)過優(yōu)化，適用于許多商業(yè)和工業(yè)應用。這些應用對高密度、低引腳數(shù)、低電壓和低功耗要求極高。
為了實現(xiàn)簡單的系統(tǒng)內(nèi)重新編程，AT45DB041E 在編程時不需要高輸入電壓。編程。該器件使用 1.65 V 至 3.6 V 單電源進行擦除、編程和讀取操作。AT45DB041E 通過芯片選擇引腳 (CS) 啟用，并通過一個由串行輸入 (CS) 和串行輸出 (CS) 組成的三線接口進行訪問。由串行輸入 (SI)、串行輸出 (SO) 和串行時鐘 (SCK) 組成。
所有編程和擦除周期都是自定時的。
 

引腳配置和布局

 

 

功能框圖

芯片特點

1.65 V - 3.6 V 單電源供電
? 兼容串行外設接口 (SPI)
- 支持 SPI 模式 0 和 3
- 支持 RapidS™ 操作
? 可連續(xù)讀取整個陣列
- 高達 85 MHz
- 低功耗讀取選項，高達 15 MHz
- 時鐘到輸出時間 (tV) 最大為 6 毫微秒
? 用戶可配置頁面大小
- 每頁 256 字節(jié)
- 每頁 264 字節(jié)（默認）
- 頁大小可在出廠前配置為 256 字節(jié)
? 兩個完全獨立的 SRAM 數(shù)據(jù)緩沖器（256/264 字節(jié)）
- 允許在對主內(nèi)存陣列重新編程的同時接收數(shù)據(jù)
? 靈活的編程選項
- 字節(jié)/頁面編程（1 至 256/264 字節(jié)）直接輸入主存儲器
- 緩沖區(qū)寫入
- 緩沖區(qū)到主存儲器 頁程序
? 靈活的擦除選項
- 頁擦除（256/264 字節(jié)）
- 塊擦除（2 kB）
- 扇區(qū)擦除（64 kB）
- 芯片擦除（4 Mbits）
? 程序和擦除暫停/恢復
? 高級硬件和軟件數(shù)據(jù)保護功能
- 單個扇區(qū)保護
- 單個扇區(qū)鎖定，使任何扇區(qū)永久只讀
? 128 字節(jié)、一次性可編程 (OTP) 安全寄存器
- 64 字節(jié)出廠時已編程的唯一標識符
- 64 字節(jié)用戶可編程
? 硬件和軟件控制復位選項
? JEDEC 標準制造商和器件 ID 讀取
? 低功耗耗散
- 400 nA 超深度掉電電流（典型值）
- 3 μA 深度掉電電流（典型值）
- 25 μA 待機電流（典型值）
- 7mA 有效讀取電流（典型值 @ 15 MHz))
? 耐用性：每頁至少 100,000 次編程/擦除循環(huán)
 
 

芯片封裝

 
8S1 - 8 引線 JEDEC SOIC